美国物理学联合会《科学之光》专访报道

我校碳化硅欧姆接触高温热稳定性研究成果

近日，上海师范大学数理学院硕士研究生高萌萌和姜舒月（均已毕业）在碳化硅欧姆接触高温热稳定性研究中取得重要进展，相关成果“In situ XPS spectroscopic study of thermal stability of W/Ni bilayer Ohmic contact to n-type 4H-SiC”发表在《应用物理学报》（Journal of Applied Physics），并作为精选文章（Featured Article）展示在期刊主页上，同时美国物理学联合会《科学之光》（AIP Scilight）以“Understanding the thermal stability of Ohmic contacts”为题对该工作进行了专访报道。论文的通讯作者是陈之战研究员和曹铎博士。

根据Ni基碳化硅欧姆接触的特点，作者设计了W/Ni双金属层体系，快速退火后形成WC和Ni_2-xW_xSi欧姆接触层。原位X射线光电子能谱研究表明，在老化期间接触层如同缓释胶囊一样发生一定程度的分解，持续不断地释放W、Ni、Si原子并随之与扩散到接触层的氧气反应，而位于界面处的WC也与氧气发生反应，成为保护欧姆接触的最后一道屏障。与传统的Ni基欧姆接触相比，W层的引入减少了老化过程中氧气向界面的扩散，极大地提高了4H-SiC欧姆接触的热稳定性，使得碳化硅器件能够在300C的高温下长期工作成为可能。这一研究结果为碳化硅基器件的欧姆接触设计提供了新的思路，在科学研究领域和工业应用领域都具有重要的意义。

研究工作得到国家自然科学基金委员会与中国工程物理研究院联合基金资助（U1830114）。

《科学之光》创办于2017年6月，由美国物理学联合会出版，目的是简要的、及时的以及科普的报道物理学领域的最新重要进展，帮助作者扩大成果的受众面和影响力。主要关注对象是AIP出版的科学研究论文，包括介绍论文的背景，论文的新颖性，以及论文的影响力。

论文原文：“In situ XPS spectroscopic study of thermal stability of W/Ni bilayer Ohmic contact to n-type 4H-SiC,” by Meng-meng Gao, Shu-yue Jiang, Duo Cao, and Zhi-zhan Chen, Journal of Applied Physics (2020).

论文链接：https://aip.scitation.org/doi/10.1063/5.0002560

 Scilight新闻报道：https://aip.scitation.org/doi/full/10.1063/10.0001222